بررسی اثار چین خوردگی در رسانش نانونوارهای گرافنی با رویکرد تنگ بست

در این پایان نامه خواص ترابردی و رسانشی نانونوارهای گرافن چین خورده را با استفاده از روش تنگ بست مطالعه می کنیم. با ظهور چین خوردگی در نانونوارهای گرافن زیگزاگ شکل شکاف های کوچک با رسانندگی صفر و تراز های کوچک با قدرت رسانندگی در اطراف اولین تکینگی ون- هاو مشاهده میشود.همچنین دراین نانونوار در چگالی حالت ها از رسانا به نارسانا میرسیم که هرچه شدت چین خوردگی زیاد باشد عرض گاف بیشتر میشود.درمبحث جریان-ولتاژ چین خوردگی ولتاژ آستانه را بالا میبرد. در حالی که برای نانو نوارهای صندلی شکل حالت نارسانا با چین خوردگی در چگالی حالت ها به سمت رسانا میرویم.ضریب ترابرد بیشتر میشود.همچنین با وجود چین خوردگی نوسان جریان در نانوروبان صندلی نا رسانا داریم.از این نتایج میتوان برای درک بهتر خواص ترابردی و الکترونیکی نانونوارهای گرافن واقعی استفاده کرد و نیز برای طراحی نانوابزارهایی از جنس گرافن بهره گرفت. برای بررسی خواص ترابردی و رسانشی چنین ساختاری آشنایی با اصول و مفاهیم ترابرد کوانتومی کاملاً ضروری است، لذا در فصل-های 1و2 این پایان نامه چکیده ای از کتاب ترابرد کوانتومی(داتا) که مرجع بسیار مناسبی برای این مباحث است را می آوریم. در ابتدای فصل 3 نگاهی به خواص ترابردی و رسانشی نانونوارهای گرافن خواهیم داشت و در انتها اثرات چین خوردگی بر این خواص را بررسی خواهیم کرد و در این راه از نرم افزارmatlab بهره میگیریم.